sk海力士宣布量产4dnand闪存 (SK海力士宣布2026年量产HBM4-GPU做好预备-为下一代AI)

HBM类产品前后通过了HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的开发，其中HBM3E是HBM3的裁减（Extended）版本，而HBM4将是第六代产品。HBM4堆栈将扭转自2015年以来1024位接口的设计，驳回2048位接口，而位宽翻倍也是是HBM内存技术推出后最大的变动。目前单个HBM3E堆栈的数据传输速率为9.6GT/s，切实峰值带宽为1.2TB/s，而由六个堆栈组成的内存子系统的带宽则高达7.2TB/s。出于于牢靠性和功耗方面的思考，普通速度不会到达最高的切实带宽，像H200的峰值带宽为4.8TB/s。依照美光之前的说法，单个HBM3E堆栈的峰值带宽将提高到1.5TB/s。因为2048位接口须要在集成电路上启动十分复杂的布线，估量老本也会高于HBM3和HBM3E。HBM4在堆栈的层数上也有所变动，除了首批的12层垂直重叠，估量2027年存储器厂商还会带来16层垂直重叠。此外，HBM还会往更为定制化的方向开展，不只陈列在SoC主芯片旁边，局部还会转向堆栈在SoC主芯片之上。资讯起源：

SK海力士宣布量产4D NAND：最高堆叠128层

在距离96层4D闪存量产8个月后，SK海力士宣布已经成功研发并量产128层堆叠的4D NAND闪存芯片，实现业内最高的闪存垂直堆叠密度，单颗芯片集成超过3600亿个闪存单元。

新的128层4D闪存单颗容量1Tb(128MB)，容量是96层堆叠的1.4倍。

包括SK海力士在内多家闪存厂商都研发出1Tb QLC闪存，但单颗TLC闪存1Tb还是第一次。

为了实现这个指标，SK海力士应用一系列创新技术，比如超同类垂直蚀刻技术、高可靠性多层薄膜单元成型技术、超快低功耗电路技术等。

SK海力士将在下半年批量出货128层1Tb 4D闪存，同时计划在2019年上半年开发下一代UFS 3.1闪存，将1TB手机所需的闪存芯片数量减半，同时将封装厚度控制在1毫米，并降低20%的功耗。

SK海力士的新闪存可以在1.2V电压下实现1400Mbps的数据传输率，可用于高性能、低功耗的手机存储、企业级固态硬盘。

SK海力士计划在2020年上半年量产2TB消费级固态硬盘，采用自研主控和软件;16TB、32TB的企业级NVMe固态硬盘会2020那年宣布。

SK海力士的4D NAND闪存技术是2018年10月份公开的，4D指的是单芯片四层架构设计，结合3D CTF(电荷捕获闪存)设计、PUC(Peri. Under Cell)技术，后者是指制造闪存时先形成外围区域再堆叠晶胞，有助于缩小芯片面积。

利用这种架构设计，SK海力士在从96层堆叠到128层堆叠时，虽然增加三分之一的层数，但制造工艺步骤减少5%、整体投资也降低60%。

SK海力士下一代176层堆叠的4D NAND闪存也已经处于研发阶段，至于何时发布目前并没有确切消息。

SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产

SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产

SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产，SK 海力士 238 层 NAND 闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积。SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产。

SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产1

据国外媒体报道，周二，韩国芯片制造商SK海力士宣布，它已开发出238层NAND闪存芯片。

该公司表示，这款芯片是最小的NAND闪存芯片，数据传输速度与上一代芯片相比提升50%，读取数据消耗的能量降低21%，将用于PC存储设备、智能手机和服务器，计划在2023年上半年开始批量生产。

去年12月30日，SK海力士宣布完成收购英特尔NAND闪存及SSD业务的第一阶段。在第一阶段的交易中，英特尔向SK海力士出售SSD业务（包括转让NAND SSD相关的知识产权及员工）和大连的NAND闪存制造工厂，SK海力士则向英特尔支付70亿美元。

这笔收购交易的第二阶段预计将在2025年3月及之后进行，届时SK海力士将向英特尔支付余下的20亿美元。据悉，英特尔出售给SK海力士的相关资产交由后者新设立的子公司Solidigm管理。

由于全球经济的不确定性正在抑制消费者对电子产品的购买力，SK海力士在7月下旬宣布，将无限期推迟投资33亿美元新建存储芯片工厂的扩张计划。

据悉，SK海力士决定推迟扩建的工厂是该公司此前决定在清州园区建设的M17存储芯片工厂，该工厂原本计划于2023年晚些时候开工建设，预计最早于2025年完工。

外媒报道称，该公司之所以决定推迟扩建计划，可能是由于成本上升以及市场对芯片的需求放缓等问题。

SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产2

SK 海力士官宣全球首发 238 层 512Gb TLC 4D NAND 闪存，将于明年上半年投入量产。现在，SK 海力士官方发文对其最新技术进行了介绍。

据介绍，SK 海力士 238 层 NAND 闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积。

SK 海力士在 2018 年研发的 96 层 NAND 闪存就超越了传统的 3D 方式，并导入了 4D 方式。为成功研发 4D 架构的芯片，公司采用了电荷捕获型技术 (CTF，Charge Trap Flash) 和 PUC (Peri. Under Cell) 技术。相比 3D 方式，4D 架构具有单元面积更小，生产效率更高的优点。

官方称，新产品每单位面积具备更高的密度，借其更小的面积能够在相同大小的硅晶片生产出更多的芯片，因此相比 176 层 NAND 闪存其生产效率也提高了 34%。

此外，238 层 NAND 闪存的数据传输速度为 2.4Gbps，相比前一代产品提高了 50%，芯片读取数据时的能源消耗也减少了 21%。

SK 海力士计划先为 cSSD 供应 238 层 NAND 闪存，随后将其导入范围逐渐延伸至智能手机和高容量的服务器 SSD 等。SK 海力士还将于明年发布 1Tb 密度的全新 238 层 NAND 闪存产品。

SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产3

7月26日，美国美光科技表示将开始出货其最先进的NAND闪存芯片，也是首家正式宣布将NAND芯片扩展到超过200层的企业；本周三，韩国的SK海力士也宣布开发出一款超过200层的闪存芯片。

美光的闪存芯片由232层存储单元组成，数据传输速度将比其上一代176层的芯片快50%，且封装尺寸比前几代产品还要小28%。该芯片将主要瞄准人工智能和机器学习等以数据为中心的领域，满足其低延迟和高吞吐量的需求。

韩国SK海力士公司今日也宣布，开发出超200层的.NAND闪存芯片。该款芯片由238层存储单元组成，比美光的最新芯片还要多装6层。

据SK海力士称，238层芯片是其尺寸最小的NAND闪存芯片，数据传输速度和功率比上一代提高了50%，读取数据消耗的能量也减少了21%。

SK海力士这款最新芯片将在2023年上半年开始量产；而美光则表示将于2022年底开始量产232层NAND。

层数越高越好

NAND闪存几乎应用与所有主要的电子终端之中，智能手机、电脑、USB驱动器等都有它的存在。闪存受不受市场欢迎的两个重要因素，一是成本，二就是存储密度。

而自2013年三星设计出垂直堆叠单元技术后，芯片的层数比拼一直是各大NAND闪存芯片厂商竞争的重点。

与CPU和GPU仍在竞争增大晶体管密度、用更精细的技术大幅提高芯片性能不同，在NAND市场，目前，想要大幅提高存储密度，增加层数就是关键。因此，NAND闪存从最初的24层一路上升，发展到现在的200多层。

不过也有专家表示，在闪存芯片领域，各个厂家都有各自的技术架构和演进路线图，并不完全一致，各家都有各家的技术工艺特色。在低层级的时候，3D堆叠确实能够显著提升闪存的性能，但是随着层数的增加，性能提升也会遭遇瓶颈，需要在技术、成本和性能之间寻找一个平衡。总体而言，层数的领先并不能代表闪存技术上的绝对领先，还是综合成本和性能来看。

美光232层NAND使用了与三星第七代闪存相似的“双堆栈”技术。将232层分为两部分，每部分116层，从一个深窄的孔开始堆叠。通过导体和绝缘体的交替层蚀刻，用材料填充孔，并加工形成比特存储部分，从而制造出成品芯片。

而蚀刻和填充穿过所有堆叠层的孔，就成为了NAND闪存层数增加的技术关卡。

200层的野心

目前，大多数的闪存芯片仍在生产100+层数的芯片，但众多生产企业对200层的生产工艺都是跃跃欲试。

早在2019年，SK海力士就做出过大胆假设，在2025年推出500层堆叠产品，并在2032年实现800层以上。

今年稍早，美国西部数据与合作伙伴日本铠侠称，将很快推出超过200层的BiCS+内存芯片，预定在2024年正式面世。

参与层数竞争的三星电子也被曝将在今年底推出200层以上的第八代NAND闪存，业界猜测可达224层，传输速度和生产效率将提高30%。

现在全球的闪存格局，三星电子虽是技术的奠基者并在过去一直领导市场发展，但在200层以上的竞争上，略落后于美光与SK海力士。这两家公司入局虽晚，但技术演进势头很猛，在技术上可能保持领先优势。

而未来，据欧洲知名半导体研究机构IMEC认为，1000层的NAND闪存也不是很远，或在10年内就会出现。层数之争依旧是NAND闪存的主旋律，就看能否有人弯道超车了。

如何看待SKHynix量产4DNAND闪存？-现代

随着64层堆栈3DNAND闪存的大规模量产，全球6大NAND闪存厂商今年都开始转向96层堆栈的新一代3DNAND，几家厂商的技术方案也不太一样，SKHynix给他们的新闪存起了个4DNAND闪存的名字，在今年的FMS国际闪存会议上正式宣告了业界首个基于CTF技术的4DNAND闪存，日前他们又宣布4DNAND闪存正式量产，目前主要是TLC类型，96层堆栈，512Gb核心容量，使用该技术可以减少30%的核心面积，读取、写入速度分别提升30%、25%。

根据SKHynix之前公布的信息，所谓的4DNAND闪存其实也是3DNAND，它是把NAND闪存Cell单元的PUC（PeriUnderCell）电路从之前的位置挪到了底部，所以叫了4DNAND闪存，本质上其实还是3DNAND，4DNAND闪存有很强的商业营销味道。

SKHynix的4DNAND闪存首先会量产TLC类型的，核心容量分别是512Gbt、1Tb，都是96层堆栈，IO接口速度1.2Gbps，不过两者的BGA封装面积是不一样的，1Tb版显然更大一些。

至于QLC类型的，这个未来会是SKHynix量产的重点，核心容量1Tb，但量产时间会在明年下半年，还需要一些时间。

韩联社报道称，SKHynix公司4日宣布正式宣布96层堆栈的4DNAND闪存，TLC类型，核心容量512Gb，与现有的72层堆栈3DNAND闪存相比，4DNAND闪存的核心面积减少了30%，单片晶圆的生产输出增加了50%，而且性能也更强——读取速度提升30%，写入速度提升25%。

根据官方所说，4DNAND闪存今年内会量产，而主要生产基地就是刚刚落成的M15工厂，总投资高达15万亿韩元，约合135亿美元。

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SK海力士发布最新企业级SSDPE8000系列首款PCIe4.0SSD

对于海力士公司，就在近日发布了最新的企业级别系列的SSDPE8000三款硬盘，同时也是第一款PCIe4.0SSD技术硬盘。

更多详细内容就来和小编一起了解下吧~SK海力士发布企业级SSDPE8000系列首款PCIe4.0SSDSK海力士4月8日正式发布了最新款的企业级SSDPE8000系列，包括PE8010、PE8030、PE8111三款型号这也是其首款PCIe4.0SSD，无论存储密度、容量还是性能都是世界一流的，甚至是超一流的。

PE8010、PE8030都配备了SK海力士自产的96层堆叠4DTLCNAND闪存颗粒，搭配自研主控最大容量8TB，兼容U.2、U.3接口，其中PE8010面向读取密集型应用，PE8030则为读写混合应用而优化。

性能方面，持续读写速度最高均可达8.3GB/s、3.7GB/s，随机读写速度最高则可达1100KIOPS、320KIOPS。

相比于去年的上代产品，持续读取性能提升103%，随机写入性能提升357%，另外最大功耗为17W。

PE8111则是针对读取密集型负载的超大容量版本，应用了世界第一的128层堆叠4DTLCNAND闪存颗粒单颗容量1Tb(128GB)，相比于上一代的512Gb颗粒只需一半数量的闪存芯片就可以达成同等容量同样数量闪存芯片则容量轻松翻番。

PE8111现有最大容量为16TB，E1.L接口形态，同时正在开发32TB版本。

它特别针对OCP(开放计算项目)存储平台而优化，持续读写速度最高3.4GB/s、3.0GB/s随机读写速度最高700KIOPS、100KIOPS。

SK海力士表示，PE8010、PE8030SSD已经向客户出样，PE8111下半年出样。

以上就是SK海力士发布企业级SSDPE8000系列首款PCIe4.0SSD的全部内容了。

美股盘前：美股期货直线跳水标普500指数期货跌1.84%

盘前，9月通胀数据公布后，美股期货直线跳水，截至发稿，标普500指数期货跌1.84%；道指期货跌1.46%；纳斯达克100指数期货跌2.63%。

盘前公布的数据显示，美国9月CPI同比上涨8.2%，预估为8.1%，前值为8.3%；美国9月CPI环比上涨0.4%，预估为0.2%，前值为0.1%。

周三公布的美联储9月会议纪要显示，美联储预计将继续加息，直至看到通胀回落。不过，部分决策者也指出，在评估一系列政策对经济活动和通胀累积造成的影响时，到某个时间点放慢加息的步伐将变得合适。

LPLfinancial首席全球策略师QuincyKrosby指出，自上次会议以来，美联储官员一直在传递一个信息，即他们的承诺依旧坚定，即使面对金融风险和经济衰退，美联储也会继续加息。

市场动态

上一交易日，标普500指数和纳指录得日线“六连阴”。截至收盘，标普500指数跌0.08%，报3577.03点；纳斯达克指数跌0.09%，报10417.10点；道琼斯指数跌0.10%，报29210.85点。

正在交易中的欧洲市场全线走低，截至发稿，英国富时100指数跌1.23%，法国CAC40指数跌1.18%，德国DAX30指数跌0.63%。

公司消息

【英特尔：获美商务部一年授权，继续运营大连NAND闪存芯片业务】

英特尔10月13日表示，10月11日，公司从美国商务部获得为期一年的授权，继续运营其位于中国大连的NAND闪存芯片业务。10月12日，韩国SK海力士公司发布声明称，公司完成与美国商务部的协商，在接下来1年内无需额外许可地为中国工厂供应所需的半导体生产设备。2020年，韩国SK海力士于宣布收购英特尔NAND闪存及存储业务，其中包括英特尔大连工厂。

【微软Windows11将支持自带照片应用连接苹果iCloud】

微软当地时间10月12日宣布，苹果的AppleTV和AppleMusic应用程序将于2023年上线WindowsPC平台，这些应用程序的早期测试版将很快在微软商店推出。此外，微软Windows11照片应用将支持连接苹果iCloud照片库，用户可获得更接近在Mac上的体验。WindowsInsider计划的用户已经可以获得测试版，预计未来几个月内将公开发布。

【辉瑞在日本申请改良新冠疫苗加强针用于5-11岁儿童】

10月13日，辉瑞公司日本法人向日本厚生劳动省提交申请，寻求辉瑞-BioNTech针对奥密克戎BA.4/5变异株的二价新冠疫苗加强针用于5-11岁儿童。

【贝莱德Q3财报超预期】

贝莱德三季度营收43.1亿美元，市场预估43.3亿美元；调整后每股收益9.55美元，市场预估7.03美元。

【Lucid称有望实现2022年产量目标】

当地时间10月12日，美国电动汽车公司Lucid宣布，2022年第三季度产量达2282辆，较第二季产量高出两倍以上；同期交付数量达1398辆，全年有望实现2022年产出6000-7000辆的目标。此前，该公司已两度下调今年的产量预期。

【台积电第三季度净利润2808.7亿元新台币，毛利率60.4%】

台积电10月13日发布公告，截至2022年9月30日的第三季度合并营收为6131.4亿元新台币，同比增长47.9%，环比增长14.8%；净利润2808.7亿元新台币，同比增长79.7%，环比增长18.5%；每股摊薄收益为10.83元新台币，同比增长79.8%。

台积电第三季度的毛利率为60.4%，营业利润率为50.6%，净利润率为45.8%。第三季度，5纳米的出货量占总晶圆收入的28%；7纳米的出货量占26%。7纳米及更先进制程占晶圆总收入的54%。

【台积电获得美国为期一年的许可证用于南京工厂生产】

10月13日，台积电在三季度业绩电话会上证实，已获得美国一年许可，用于南京工厂生产28nm和16nm制程的产品。台积电表示，将在完全遵守所有规章制度的情况下为所有客户提供服务。

美股时间段值得关注的事件（北京时间）

10月13日

22:30美国至10月7日当周EIA天然气库存

23:00美国至10月7日当周EIA原油库存、美国至10月7日当周EIA战略石油储备库存

SKHynix开始量产其新DRAM：HBM2E_每秒460GB以上

SKHynix开始量产其新DRAM：HBM2E_每秒460GB以上。

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SKHynix的HBM2E基于每引脚3.6GBps的速度性能，每秒支持460GB以上的速度，具有1,024个I/O。

它是业界最快的DRAM解决方案，能够每秒传输124个FHD电影。

SKHynix量产HBM2EDRAM-TSV通过垂直堆叠16GB芯片实现更高的密度通过TSV技术垂直堆叠八个16GB芯片，密度为16GB，是上一代产品的两倍多。

TSV是一种互连技术，可通过DRAM芯片上的数千个细孔连接上下芯片。

在将多个DRAM芯片堆叠在缓冲芯片上之后，它会通过贯通整个硅片厚度的柱形路径传递数据，命令和电流。

与现有的封装方法相比，它的尺寸最多可减少30%，功耗最多可减少50%。

HBM2E具有高速，大容量和低功耗的特点;它是下一代AI系统的最佳内存解决方案，这些系统都需要高级计算性能。

以下是SK海力士HBM2E存储器的一些关键点：HBM采纳TSV技术的高性能，高带宽存储器产品大大加快了传统DRAM的数据处理速度。

TSV通过DRAM芯片上的数千个细孔连接上下芯片的互连技术。

在缓冲芯片上堆叠多个DRAM芯片后，通过贯通整个硅片厚度的柱形路径提供数据，命令和电流。

与现有的封装方法相比，尺寸最多可减少30%，功耗最多可减少50%。

数据处理速度转换的标准1GB=8Gb每个引脚3.6Gbps，1024个数据I/O=3686.4Gbps3686.4Gbps/8=460.8GB/s此外，有望将其应用于Exascale超级计算机，它将引领下一代基础和应用科学的研究，例如气候变化，生物军医和太空探究。

SK海力士执行副总裁兼首席营销官JonghoonOh说：“SK海力士向来走在技术创新的最前沿，为人类文明做出了贡献，取得了包括世界上第一个HBM产品开辟在内的成就。

”“随着HBM2E的大规模量产，我们将继续加强我们在高端存储器市场的影响力，并领导第四次工业革命。

”